설명
실리콘에 대한 전기적 이점
저항성 (Rₒₙ)이 낮아서 전도 손실을 줄입니다.
전자 포화 속도가 높아 스위칭 속도가 빨라질 수 있습니다 (RF 및 전력 장치의 키).
전력 소산을 낮추고 EV, 재생 가능 에너지 시스템 및 5G 인프라의 에너지 효율을 향상시킵니다.
광학 특성
일부 SIC 폴리 유형 (예를 들어, 6H-SIC)은 UV- 가시 스펙트럼에서 반대 방향이므로 광전자 응용 분야에 유용합니다.
화학적 불활성 및 부식 저항
산화, 산 및 알칼리에 대한 저항성.
부식성 또는 고온 대기 (예 : 산업 용광로, 화학 반응기)에서 안정적으로 수행합니다.
실리콘 카바이드의 chanlleng
높은 생산 비용복잡한 결정 성장 (예 : PVT 방법)으로 인해.
결함 감도(마이크로 파이프, 탈구) 웨이퍼 품질에 영향을 미칩니다.
제한된 웨이퍼 크기(6–8 인치 대 SI의 12- inch)는 진행 중이지만.
결론
SIC의 기계적 견고성, 열 안정성 및 우수한 전기 성능의 비교할 수없는 조합은 차세대 전력 전자 장치, 전기 자동차 및 가혹한 환경 응용 분야의 변형 재료입니다. 제조 기술이 발전함에 따라 SIC는 고성능 부문에서 실리콘을 대체 할 것으로 예상됩니다.
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