블랙 실리콘 카바이드 그릿 파우더

탄화규소는 복잡하고 안정적인 내부 구조를 가지고 있습니다. 기본 구성 요소인 규소-탄소 사면체는 공유 결합을 통해 3차원 네트워크 구조를 형성합니다. 이 구조는 높은 경도와 내마모성을 결정할 뿐만 아니라 전기적 및 열적 특성에도 영향을 미칩니다. 예를 들어, 강한 공유 결합으로 인해 전자가 자유롭게 이동하기 어려워 반도체 특성이 발생합니다. 결정의 원자 배열도 열전도도에 영향을 미칩니다. SiC의 결정 구조에서 원자의 규칙적인 배열은 효율적인 열 전달을 가능하게 하여 상대적으로 높은 열 전도성을 부여합니다.

제조 측면에서 보면 실리카의 전통적인 탄소 저감법은 공정이 상대적으로 간단하고 비용이 저렴하기 때문에 여전히 대규모 산업 생산에 널리 사용되고 있습니다. 그러나 일부 첨단 기술 분야에서 증가하는 고순도, 고품질 SiC에 대한 수요를 충족시키기 위해 새로운 제조 기술이 지속적으로 연구되고 있습니다. 예를 들어 PVT(물리적 증기 수송) 방식은 고품질의 단결정 SiC를 성장시킬 수 있다. 이 방법은 SiC 원료물질을 고온에서 기화시킨 후 종자결정 위에 증착시켜 단결정을 성장시키는 방식이다. 이 방법은 결정의 성장 속도와 품질을 효과적으로 제어할 수 있어 결함이 적은 SiC 단결정을 얻을 수 있으며 이는 반도체 분야 응용에 매우 중요합니다.

Q: 품질 관리가 있습니까?
A: 그렇습니다, 우리는 SGS 인증을 얻었습니다.

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Q: 지불 조건은 무엇입니까?
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